장비개요
2nd milling function Individual setting at No.1 to 6
- 도입 목적 : 기계적인 Polishing 경우 숙련도에 따른 시료 변형(dela., smear, artifact등)으로 정확한 형상 및 성분분석 불가,   미세 식각(Damageless)하여 정밀 관찰 할 수 있는  전 처리 필수 장비임

주요제원
Accelerating voltage 0 to 8kV (0.1 kV step)
Ar gas 0.01cc/min step
Milling rate: over than 1mm/hr on Si
Milling width : Max. 8mm
CTC : Cryo temperate control
Milling time setting by hour, minute and second
2nd milling function Individual setting at No.1 to 6 ​